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Hall–Effekt Germanium Wafer N-Type

Allgemein

Ein Magnet wird abwechselnd mit beiden Polen an den Germanium Hall Effect Wafer gehalten. Das Experiment dient dem Nachweis der Hallspannung UH an einem von einem Strom I durchflossenen N-Type Germanium-Kristall, der einem senkrecht zur Stromrichtung wirkenden Magnetfeld ausgesetzt wird.

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Bilder

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Versuchsaufbau: Der Germanium Hall Effect Wafer

 

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Versuchsaufbau: Der Germanium Hall Effect Wafer, Labor-Netzgerät und Leybold

 

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Versuchsdurchführung: Ein Magnet wird abwechselnd mit beiden Polen an den Germanium Hall Effect Wafer gehalten.

 

Video

Durchführung

Material:

Germanium Hall Effect Wafer (Sammlungsraum Schrank 10 Regal b)
Netzgerät NG307 24V/10A (Sammlungsraum Schrank 40)
Leybold Messverstärker (Sammlungsraum Schrank 40)
Leybold Demo-Messgerät (Sammlungsraum Schrank 31 Regal b)
Permanentmagnet (Sammlungsraum Schrank 9 Regal b)
Stativmaterial (Hörsaal Vorbereitungsraum Schrank 25)
Verbindungskabel (Hörsaal Vorbereitungsraum Kabelwagen)

 

Aufbau:

Hall-Effekt Wafer im Stativmaterial befestigen und nach Symbol anschließen.



Durchführung:

Mit dem Potentiometer den Nullpunkt korrigieren. Einen Querstrom von max. 50 mA fließen lassen und den Permanentmagneten vorsichtig bis zur Kristalloberfläche führen, dieselbe jedoch nicht berühren, da der Kristall sehr bruchempfindlich ist. Eine Hall-Spannung von 30-40 Millivolt wird angezeigt, die proportional zum gewählten Querstrom ist.
 


Hinweise:

Bruchempfindlicher Kristall, Magneten vorsichtig nähern!
Maximalstrom  5o mA !!

 

Dokumente

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#tags

E 43.4, Germanium Waver, Germanium-Hall-Effekt-Wafer, Hall-Effekt

 

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